微波暗室的性能指標主要由靜區(qū)的特征來表征。靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的大反射電平、交叉化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標來描述。影響微波暗室性能指標的因素是多元化的，也是很復(fù)雜的，在利用光線發(fā)射法和能量物理法則對暗室性能進行仿真計算時，需要考慮電波的傳輸去耦，化去耦，標準天線的方向圖因素，吸收材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實際的工程設(shè)計過程中，往往以吸收材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

1)交叉化度：由于暗室結(jié)構(gòu)的不嚴格對稱、吸收材料對各種化波吸收的不一致性以及暗室測試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過程中產(chǎn)生化不純的現(xiàn)象。如果待測試天線與發(fā)射天線的化面正交和平行時，所測試場強之比小于-25dB，就認為交叉化度滿足要求。

2)多路徑損耗：路徑損耗不均勻會使電磁波的化面旋轉(zhuǎn)，如果以來波方向旋轉(zhuǎn)待測試天線，接收信號的起伏不超過+-0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。

3)場均勻性：在暗室靜區(qū)，沿軸移動待測試天線，要求起伏不超+-2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動待測天線，要求接收信號起伏不超過+-0.25 dB。

天線測量的誤差

1)有限測試距離所引起的誤差

設(shè)待測的是平面天線,接收的來波沿其主波束的軸向.若測試距離大小,由待測天線之不同部位所接受的場不能相同,因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位于源天線遠場區(qū)的邊界2D2/λ,其口徑邊緣與相位中心的場存在22.5度的相位差.若測試距離加倍,在相位差減半。

對于測量中等旁瓣電平的天線,距離2D2/λ通常已經(jīng)足夠,測出的增益約偏小0.06dB.測試距離縮短會使測量誤差迅速增大,旁瓣會與主波束合并成肩臺式,甚至合為一體.通常0.25dB的錐銷使測出的增益降低約為0.1 dB,并造成近旁瓣的些許誤差。

反射

直射波受從周圍物體反射的干涉,在測試區(qū)域形成場的變化,由于該波波程差作為位置的函數(shù)而迅速變化,使起伏的長度屬于波長的數(shù)量級..例如比直射波低20 dB的反射波,可引起-0.92～+0.83 dB的功率誤差.，具體取決于兩種之間的差異；相位測量的誤差范圍為±5.7°。但若反射波的場比直射波低40dB，則側(cè)出的幅度與相位分別少有±0.09與±0.6°的誤差。

反射在低旁瓣的測量中特別有害.一項很小的反射通過主瓣耦合到待測天線,可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波.如果相耦合的直射和反射波強度相等,則測出的旁瓣電平會抬高6 dB左右,或者在測得的波瓣圖中成為零點。

誤差

還可能導(dǎo)致天線測量產(chǎn)生誤差的因素有：

低頻時與電抗近場的耦合可能比較顯著，測量天線的對準誤差，其他干擾信號，測試電纜所引起的誤差等。

如果要想提高微波暗室實際使用效果以及性能要素，就得充分考慮那些會影響到其性能指標的因素，畢竟有些因素是無法避免的，只能盡量克服它們，從而使微波暗室展現(xiàn)出較好的性能。